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有机溶剂清洗:
? ? ??从溶解的相似相溶规律出发，一般采用--清洗，或采用-混液和异代替。采用-是因为这种混合液的挥发性强，采用异是因为异的脱脂能力强。为降低这些有机溶剂本身在mcp表面的残留，成都半导体湿法设备，在每次使用有机溶剂后都要用超纯水进行漂洗。在不破坏mcp表面特征的情况下可结合搅拌、鼓泡、溢流、喷淋、超声、蒸汽脱脂等方法一起使用。
? ? ??mems制造的特点是，它含有3d精细图形的深刻蚀，并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物，上海半导体湿法设备，并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水hf/（ahf/meoh））牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。
清洗的注意事项：
(1) 设备运行时，腔体内必须放卡塞，半导体湿法设备，否则由于平衡破坏造成设备损坏或精度降低；
(2)晶片必须均匀放置在卡塞内，江苏半导体湿法设备，尽量保证首尾重力平衡；
(3)卡塞放置在腔体内时，片子正面应朝向观察窗一侧；
(4)设备运行中不得试图打开密封门盖，否则会造成人体伤害或机器损坏。
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